时间效应对砂土小应变动力特性影响及其细观机制研究

采用英国 GDS 公司生产的共振柱(RCA)测试系统,对福建标准砂进行11组不同条件的时间效应试验,研究砂土小应变剪切模量和阻尼比随时间的变化情况,并运用颗粒滑移和接触力均一化理论对测试结果的细观机制进行解释。试验结果表明福建标准砂小应变剪切模量随时间逐渐增大,阻尼比随时间逐渐减小;同时研究发现相对密实度、应力历史和黏粒含量对砂土时间效应影响显著：在围压35 kPa时,松砂的时间效应大于密砂;当围压增加到150 kPa时,试验结果恰好相反：密砂的时间效应大于松砂。应力历史是影响砂土时间效应的重要因素：加卸载循环和超固结都会降低砂土的时间效应。在砂土试样中添加高岭土粉末能提高砂土的时间效应。     

电梯用超级电容器节能与应急平层装置的研究*

介绍电梯用超级电容器节能装置的组成,给出其节能的基本原理以及本项目研究的关键技术和项目创新点。运用零电流谐振式DC-DC转换器以及动态均衡电路提高电能回收效率和延长超级电容器的使用寿命。通过试验得出结论,利用超级电容快速存储电能的特性实现电梯的安全运行与节能降耗。同时利用超级电容取代传统应急平层装置的蓄电池,开发了一种全新的应急平层装置,进一步提高了电梯节能的效果。     

微带交指滤波器抽头的结构改进

使用耦合谐振电路理论设计微带交指滤波器具有较好的灵活性,然而当衬底厚度和中心频率增加到一定程度时,由传统的50Ω抽头线得到的外部品质因数Qe达不到理论值。为了增大实际设计中的Qe,同时匹配源和负载,本文将传统的抽头结构改进为一段50Ω微带线与一段较细微带线组合的类SIR抽头;此外,为了减小微带线阶跃变化带来的回波损耗,将类SIR抽头改进为一段50Ω微带线与一段较细微带线渐变式过渡的抽头。最终,分别采用类SIR抽头和渐变式抽头设计了一个Ka波段微带交指滤波器。仿真表明:使用类SIR抽头和渐变式抽头得到的Qe都能与理论值相匹配,且带渐变式抽头的滤波器相比于带类SIR抽头的滤波器,其回波损耗减小8.31dB,插入损耗减小0.16dB。从而验证了所提出的两种抽头结构改进的可行性。     

电能计量互感器二次回路状态识别系统

针对目前互感器二次回路窃电方法逐步趋于高科技化和隐蔽化的问题,分析了互感器二次回路在不同故障、窃电情况下的等效模型,提出了一种基于阻抗特性的互感器二次回路状态识别方法.采用谐振检测电路技术,研制了二次回路终端检测装置和互感器二次回路状态巡检仪,通过现场测试验证了该方法的可行性.结果表明,基于该方法研制的装置能够实现互感器二次回路的状态监测.     

传感器输出信号通用线性处理电路的研究

根据电量输出传感器测量物理量的范围,平分二段,分别建立拟合回归方程,并用电路实现之.这种线性处理方法具有通用性.以K型热电偶传感器为实验例子,未经线性处理前,理论线性度为3.2%,线性处理后,理论线性度为0.015%.测量数据标准差为0.00138.结果表明,该方法测量效果良好.     

叶轮式流量传感器检测电路的设计与调试

从叶轮式微流量传感器的结构及工作原理出发,设计了该传感器的电容检测电路.该电路由振荡电路和数字鉴频等单元电路构成,通过PSPICE仿真,实际搭制及调试,实现了检测电路的功能.     

微谐振梁的激振与拾振研究

主要研究静电激励/电容拾振硅微谐振梁的激振拾振问题,推导谐振梁的激振与响应的等效数学模型,分析谐振梁的同频干扰问题,建立其等效电路模型,提出一种基于双端激励/双端检测的结构,能够有效的抑制干扰模态和消除同频信号干扰.     

Localization of temperature sensitive areas on analog circuits

We introduce a novel easy to apply method to detect critical temperature sensitive areas on analog circuits. Our method is based on heat diffusion on a silicon micro-chip: the corners of a temperature sensitive micro-chip are heated up directly by ESD diodes or infrared laser light. This heat stimulus at the corners results in an inhomogeneous temperature distribution. Thus, the temperature is a function in time and space. The elapsed time to change the chip status from “fail” to “pass” as a reaction to the heat stimulus correlates with the distance to the heat source. This correlation is extracted from COMSOL simulations and experimental results. A numerical program based on that correlation succeeded in localization of the temperature sensitive chip module.Micro-chips affected by corner MOSFETs in the subthreshold regime are used to demonstrate our method.